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    200 V超级结X3级HiPerFET?功率MOSFET

    119期两码中特免费公开 www.ioibl.tw IXYS公司/ Littelfuse的功率半导体产品系列(200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET? Power MOSFETs)的额定电流范围为36 A至300 A.

    发布时间:2018-12-21

    IXYS Corporation / Littelfuse的200 V超结X3级HiPerFET?MOSFET的额定电流范围为36 A至300 A.多种国际标准封装可提供多种器件选择。

    这些MOSFET采用电荷补偿原理和IXYS / Littelfuse自己的工艺技术制造,具有目前业界最低的导通电阻(例如,SOT-227封装为3.5毫欧,TO-264为4毫欧)。这些器件的栅极电荷低至21纳道库,可在各种高速功率转换应用中实现高功率密度和能效。

    器件的快速体二极管经过优化,具有低反向恢复电荷和时间,从而抑制瞬变并实现低噪声,高效率的电源切换。此外,这些MOSFET具有雪崩功能,并具有出色的dv / dt性能(高达20 V / ns)。

    目标应用包括同步整流,轻型电动车(LEV)电池充电器,电机控制(48 V至110 V系统),DC-DC转换器,不间断电源,电动叉车,逆变器,电源固态继电器和D类音频放大器。


    200 V超级结X3级HiPerFET?功率MOSFET特性

    • 低导通电阻(R DS(ON)

    • 超低栅极电荷(Q g

    • 低噪声,快速恢复体二极管

    • dv / dt坚固耐用

    • 卓越的雪崩能力

    • 国际标准包装

    200 V超级结X3级HiPerFET?功率MOSFET应用

    1. 轻型电动车充电器(LEV)

    2. 同步整流

    3. 电动叉车

    4. 电机控制(48 V至110 V系统)

    5. DC-DC转换器

    6. D类音频放大器

    7. 逆变器

    8. 电源固态继电器

    200 V Ultra-Junction X2-Class HiPerFET? Power MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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    应用案例

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      为驱动快速开关超级结MOSFET,必须了解封装和PCB布局寄生效应对开关性能的影响,以及为使用超级结所做的PCB布局调整。主要使用击穿电压为500-600V的超级结MOSFET。在这些电压额定值中,工业标准TO-220、TO-247、TO-3P和TO-263是应用...

    • 资讯尚阳通科技生产的超级结MOSFET已经发展到第三代技术水平2018-05-16

      相比较于第二代产品,第三代N系列考虑系统的兼容性,可以较好的兼容客户现有产品,满足客户对驱动和EMI的适应性要求。F系列以其最优的开关速度,极低的栅极电荷,实现客户对高效率,高功率密度的要求。图6是N系列和F系...

    • 资讯采用东芝DTMOSIV超级结MOSFET来解决这些问题2018-04-08

      功率开关应用电路的基本元件主要有MOSFET和快速恢复二极管。MOSFET和恢复二极管对于采用全桥或零电压开关/相移拓扑的电信和服务器电源、全桥电机控制系统、不间断电源、和高强度放电镇流器(HID)灯而言也非常重要。功率...

    • 资讯超级结MOSFET开关速度和导通损耗问题2018-03-30

      利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS,通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。

    • 资讯区别于传统平面式 一文带你了解超级结MOSFET2017-08-25

      基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前,高压器件的主要设计平台...

    • 资讯Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET2015-01-23

      宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。

    • 资讯如何优化PCB设计以最大限度提高超级结MOSFET的性能2014-04-17

      基于最近的趋势,提高效率成为关键目标,为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比,超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。

    • 资讯Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族2013-06-04

      新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30m?、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

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